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檢測項(xiàng):輸入偏置電流Ib 檢測樣品:模擬乘法器 標(biāo)準(zhǔn):GB/T 14029-1992 半導(dǎo)體集成電路模擬乘法器測試方法的基本原理
機(jī)構(gòu)所在地:上海市
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:時(shí)基電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測試方法的基本原理 GB/T 14030-1992
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:電子元器件 標(biāo)準(zhǔn):微電路試驗(yàn)方法和程序GJB 548B-2005
檢測項(xiàng):粒子碰撞噪聲檢測試驗(yàn) 檢測樣品:電子元器件 標(biāo)準(zhǔn):電子及電氣元件試驗(yàn)方法 GJB 360A-1996 方法 212 Y1
機(jī)構(gòu)所在地:四川省成都市
檢測項(xiàng):穩(wěn)態(tài) 濕熱 檢測樣品:電子元器件 標(biāo)準(zhǔn):溫度濕度偏置循環(huán)壽命測試JESD22-A100C-2007
檢測項(xiàng):溫度沖擊 (氣體介質(zhì)) 檢測樣品:電子元器件 標(biāo)準(zhǔn):穩(wěn)態(tài)濕熱偏置壽命試驗(yàn)EIA/JESD22-A101c-2009
檢測項(xiàng):粒子碰撞噪聲檢測 檢測樣品:電子元器件 標(biāo)準(zhǔn):高溫存儲(chǔ)壽命 JESD22-A103D-2010
機(jī)構(gòu)所在地:江蘇省無錫市
機(jī)構(gòu)所在地:江蘇省吳江市
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:CMOS集成電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 GB/T 17940-2000
檢測項(xiàng):輸入偏置電流溫度系數(shù) 檢測樣品:CMOS集成電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 GB/T 17940-2000
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:RF器件 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路 GB/T 17940-2000
機(jī)構(gòu)所在地:上海市
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:TTL電路 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T 10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
機(jī)構(gòu)所在地:云南省昆明市
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:電壓比較器 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T10805-2000半導(dǎo)體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:運(yùn)算放大器 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T10738-1996半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算(電壓)放大器測試方法的基本原理
檢測項(xiàng):粒子碰撞噪聲檢測 檢測樣品:閘流晶體管 標(biāo)準(zhǔn):SJ/Z9014.3-1987半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第6部分:閘流晶體管
機(jī)構(gòu)所在地:江蘇省南京市
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:電壓比較器 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路電壓比較器 測試方法的基本原理 GB/T6798-1996
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:電壓比較器 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路電壓比較器 測試方法的基本原理 GB/T6798-1996
機(jī)構(gòu)所在地:重慶市
檢測項(xiàng):輸入偏置電流IIB 檢測樣品:晶體三極管 標(biāo)準(zhǔn):GB/T 4587-1994 半導(dǎo)體分立器件和集成電路 第7部分:雙極型晶體管
機(jī)構(gòu)所在地:河南省洛陽市
檢測項(xiàng):輸入偏置電流 檢測樣品:數(shù)字集成 電路 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理 SJ/10741-2000
機(jī)構(gòu)所在地:甘肅省蘭州市