海思消費(fèi)類芯片可靠性測(cè)試技術(shù)總體規(guī)范V2.0(10頁(yè))
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海思消費(fèi)類芯片可靠性測(cè)試技術(shù)總體規(guī)范V2.0(10頁(yè))
適用范圍:
本規(guī)范規(guī)定了芯片可靠性測(cè)試的總體規(guī)范要求,包括電路可靠性、封裝可靠性。適用于量產(chǎn)芯片驗(yàn)證測(cè)試階段的通用測(cè)試需求,能夠覆蓋芯片絕大多數(shù)的可靠性驗(yàn)證需求。具體的執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)可能不是本規(guī)范文檔,但來(lái)源于該規(guī)范。本規(guī)范描述的測(cè)試組合可能不涵蓋特定芯片的所有使用環(huán)境,但可以滿足絕大多數(shù)芯片的通用驗(yàn)證需求。
簡(jiǎn)介:
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定芯片研發(fā)或新工藝升級(jí)時(shí),芯片規(guī)模量產(chǎn)前對(duì)可常性相關(guān)測(cè)試需求的通用驗(yàn)收基準(zhǔn)。這些測(cè)試或測(cè)試組合能夠激發(fā)半導(dǎo)體器件電路、封裝相關(guān)的薄弱環(huán)節(jié)或問(wèn)題,通過(guò)失效率判斷是否滿足量產(chǎn)出口標(biāo)準(zhǔn)。相比正常使用場(chǎng)景,該系列測(cè)試或測(cè)試組合通常以特定
的溫度、濕度、電壓加速的方式來(lái)激發(fā)問(wèn)題。
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科研開發(fā)
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2022-06-23
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電子電氣
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