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針入度(Needlepenetration) 針入度是以標(biāo)準(zhǔn)針在一定的荷重、時間及溫度條件下垂直穿入瀝青試樣的深度來表示,單位為1/10mm。非經(jīng)另行規(guī)定,標(biāo)準(zhǔn)針、針連桿與附加砝碼的合重為100±0.1g,溫度25℃,時間為5s。針入度愈大表示愈軟,即稠度愈?。环粗畡t表示愈硬,即稠度愈大。 針入度 測試儀器:針入度電腦式、針入...查看詳情>>
針入度(Needlepenetration)
針入度是以標(biāo)準(zhǔn)針在一定的荷重、時間及溫度條件下垂直穿入瀝青試樣的深度來表示,單位為1/10mm。非經(jīng)另行規(guī)定,標(biāo)準(zhǔn)針、針連桿與附加砝碼的合重為100±0.1g,溫度25℃,時間為5s。針入度愈大表示愈軟,即稠度愈小;反之則表示愈硬,即稠度愈大。
針入度測試儀器:針入度電腦式、針入度數(shù)顯式
收起百科↑ 最近更新:2017年03月21日
機構(gòu)所在地:河北省石家莊市
機構(gòu)所在地:陜西省西安市
檢測項:輸入低電平電流IIL 檢測樣品:CMOS 電路測試 標(biāo)準(zhǔn):半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理 SJ/T10741-2000
檢測項:輸入低電平電流IIL 檢測樣品:微電子器件 標(biāo)準(zhǔn):微電子器件 試驗方法和程序GJB548B-2005
機構(gòu)所在地:遼寧省沈陽市
檢測項:輸入低電平電流IIL 檢測樣品:半導(dǎo)體集成電路TTL電路 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
檢測項:輸入低電平電流IIL 檢測樣品:半導(dǎo)體集成電路CMOS電路 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T10741-2000 半導(dǎo)體集成電路CMOS電路測試方法的基本原理
檢測項:輸入低電平電流IIL 檢測樣品:半導(dǎo)體集成電路TTL電路 標(biāo)準(zhǔn):SJ/T10735-1996 半導(dǎo)體集成電路TTL電路測試方法的基本原理
機構(gòu)所在地:湖南省長沙市
機構(gòu)所在地:北京市
檢測項:錐入度 檢測樣品:石油產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn):潤滑脂和石油脂錐入度測定法 GB/T269-1991(2004)
機構(gòu)所在地:遼寧省撫順市
檢測項:瀝青針入度 檢測樣品: 標(biāo)準(zhǔn):瀝青針入度測定法GB/T 4509-2010
機構(gòu)所在地:新疆維吾爾自治區(qū)克拉瑪依市