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疊層片式磁珠開路失效分析復(fù)盤

嘉峪檢測網(wǎng)        2026-04-23 20:56

電子元器件的失效分析實(shí)踐中,我們常會遇到看似簡單的故障現(xiàn)象,其背后卻隱藏著復(fù)雜的物理機(jī)理。本次復(fù)盤將聚焦于某批次疊層片式磁珠(MLCB)的開路失效案例。盡管失效比例極低(約10ppm),但其高達(dá)3.5KΩ的直流電阻(DCR,標(biāo)準(zhǔn)值Max 0.05Ω)表明內(nèi)部導(dǎo)電通路已徹底斷裂,若不深入探究,將對產(chǎn)品長期可靠性構(gòu)成潛在威脅。

 

故障樣品失效分析

對于此次開路失效,我們首先收到了供應(yīng)商的初步分析報(bào)告。報(bào)告中指出,通過X-RAY無損檢測,觀察到磁珠內(nèi)部電極存在斷裂現(xiàn)象。磁珠內(nèi)部的鐵氧體層與電極層排布整齊,并未出現(xiàn)疊層偏位或分層等宏觀結(jié)構(gòu)異常。這在一定程度上排除了印刷對位工藝的重大問題。

疊層片式磁珠開路失效分析復(fù)盤

基于這一發(fā)現(xiàn),供應(yīng)商推測的根因是“粉塵堵網(wǎng),導(dǎo)致銀漿下墨不足,進(jìn)而形成虛連或開路”。這是一種常見的工藝缺陷解釋,聽起來似乎合情合理。

切片分析:在CT掃描確認(rèn)疊層結(jié)構(gòu)良好的基礎(chǔ)上,我們對失效樣品進(jìn)行了破壞性切片分析。在高倍顯微鏡下,我們不僅再次確認(rèn)了內(nèi)電極與過孔(Via)連接處的裂紋,更令人關(guān)注的是,我們在磁珠基體中心區(qū)域發(fā)現(xiàn)了明顯的裂紋。這一發(fā)現(xiàn)至關(guān)重要,它暗示了磁珠在制造或使用過程中可能承受了巨大的內(nèi)部應(yīng)力,而非簡單的銀漿填充不足。

疊層片式磁珠開路失效分析復(fù)盤

 

根因探究:超越“粉塵”的物理機(jī)理

結(jié)合“基體中心裂紋”這一關(guān)鍵物證,我們認(rèn)為供應(yīng)商提出的“粉塵堵網(wǎng)”可能只是一個(gè)誘因,它或許會加劇銀漿填充不足,但并非導(dǎo)致電極脆性開裂和基體中心裂紋的根本原因。真正的“幕后推手”更可能涉及以下深層物理機(jī)理:

共燒收縮不匹配(Co-firing Mismatch):疊層磁珠的制造涉及鐵氧體基體和銀內(nèi)電極的共燒,如果銀漿與陶瓷基體在燒結(jié)過程中的收縮率曲線不匹配,會在界面處產(chǎn)生巨大的殘余應(yīng)力。這種應(yīng)力不僅容易導(dǎo)致內(nèi)電極連接點(diǎn)開裂,更可能在基體內(nèi)部形成應(yīng)力集中,最終在基體中心形成裂紋。

燒結(jié)不充分與熱應(yīng)力:燒結(jié)工藝是決定陶瓷體致密度和機(jī)械強(qiáng)度的關(guān)鍵。燒結(jié)不充分會導(dǎo)致鐵氧體基體致密度不足,機(jī)械強(qiáng)度下降,更容易在應(yīng)力作用下開裂。同時(shí),燒結(jié)過程中的升溫或降溫速率過快,會產(chǎn)生非均勻的熱應(yīng)力場。過孔連接處和基體中心等區(qū)域作為結(jié)構(gòu)的幾何突變點(diǎn)或薄弱點(diǎn),極易成為應(yīng)力釋放的突破口,從而引發(fā)斷裂。

回流焊熱沖擊:即使磁珠在出廠時(shí)內(nèi)部存在潛在的微裂紋或高殘余應(yīng)力,它們也可能在后續(xù)的回流焊過程中被激活并擴(kuò)展?;亓骱傅目焖偕郎睾徒禍剡^程會產(chǎn)生劇烈的熱沖擊,導(dǎo)致材料膨脹系數(shù)不匹配的應(yīng)力急劇增加,從而使原有的微裂紋迅速擴(kuò)展,最終形成貫穿性裂紋,導(dǎo)致開路失效。

下表對比了供應(yīng)商與我們推測的根因及其風(fēng)險(xiǎn)等級:

疊層片式磁珠開路失效分析復(fù)盤

 

改善措施:從源頭控制風(fēng)險(xiǎn)

基于上述深度分析,我們認(rèn)為單純的“加強(qiáng)除塵”不足以徹底解決此類失效問題。必須從材料、工藝和設(shè)計(jì)三個(gè)層面協(xié)同優(yōu)化,才能從源頭提升產(chǎn)品可靠性:

材料匹配性優(yōu)化:要求供應(yīng)商重新評估銀漿與鐵氧體生片的收縮曲線,優(yōu)化銀漿配方,確保二者在燒結(jié)過程中的同步收縮,從根本上消除界面殘余應(yīng)力。

燒結(jié)曲線精細(xì)化:優(yōu)化燒結(jié)爐的溫控參數(shù),特別是排膠段和冷卻段的斜率,采用更平緩的升溫和降溫曲線,確保基體充分燒結(jié),并減小內(nèi)部熱應(yīng)力聚集。

設(shè)計(jì)冗余增強(qiáng):在不影響電性能的前提下,適當(dāng)加大過孔(Via)直徑或采用雙孔并行設(shè)計(jì),增強(qiáng)連接點(diǎn)的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,提高其對工藝波動的容忍度?;蛘咴诖胖檫x型的時(shí)候增加過孔(Via)尺寸指標(biāo)要求。

 

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來源:Top Gun 實(shí)驗(yàn)室

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