hast與uhast是半導(dǎo)體封裝可靠性測(cè)試中兩個(gè)非常容易混淆，但目的完全不同的測(cè)試。們都是“抗?jié)駳饽芰?rdquo;的加速測(cè)試，核心區(qū)別在于是否通電。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)：
HAST= 高溫 + 高濕 + 通電，測(cè)電路腐蝕與短路。
uHAST = 高溫 + 高濕 + 不通電，測(cè)封裝材料與結(jié)構(gòu)。
全稱(chēng)： 高加速溫濕度應(yīng)力測(cè)試（通常默認(rèn)指 bHAST, Biased HAST，即帶偏壓測(cè)試）。
標(biāo)準(zhǔn)： JEDEC JESD22-A110。
核心特征：加偏壓 (Bias)。
在測(cè)試過(guò)程中，芯片不僅要忍受高溫高濕，引腳還要接上電壓。
測(cè)試條件：
溫度： 130°C（最常用）。
濕度： 85% RH（相對(duì)濕度）。
氣壓： 約 2.3 atm（為了在 >100°C 下維持高濕度不沸騰）。
時(shí)長(zhǎng)：96 小時(shí)。
測(cè)試目的：
考核芯片在潮濕環(huán)境下，金屬導(dǎo)線發(fā)生電化學(xué)腐蝕和離子遷移的風(fēng)險(xiǎn)。
失效機(jī)理：
水汽滲入封裝內(nèi)部 ==》溶解雜質(zhì)離子形成電解液 ==》 在電壓驅(qū)動(dòng)下，金屬離子（如銅/鋁）從正極游向負(fù)極==》形成樹(shù)枝狀晶體 ==》 造成引腳間短路。
全稱(chēng)： 無(wú)偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試(Unbiased HAST)。
標(biāo)準(zhǔn)： JEDEC JESD22-A118
核心特征：不加偏壓 (Unbiased)。 芯片引腳是懸空或開(kāi)路的，只有環(huán)境應(yīng)力，沒(méi)有電應(yīng)力。
測(cè)試條件：與 HAST 完全相同（130°C / 85% RH / 2.3 atm），唯一的區(qū)別是不通電。
測(cè)試目的：專(zhuān)注于考核封裝材料本身的吸濕特性、氣密性等。它是用來(lái)取代舊的 PCT (高壓蒸煮測(cè)試) 的。
失效機(jī)理：
吸濕膨脹： 塑封料吸水后體積膨脹，導(dǎo)致內(nèi)部應(yīng)力增加。
分層 ： 水汽破壞了塑封料與芯片、引腳框之間的粘結(jié)力，導(dǎo)致界面分離。
爆米花效應(yīng)： 如果吸濕嚴(yán)重，后續(xù)再遇高溫容易爆裂。
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