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TIM膠結合不良對芯片性能的影響與行業(yè)相關評估標準

嘉峪檢測網(wǎng)        2026-03-12 09:39

今天我們不探討深奧的半導體失效機理,而是聚焦于日常工作中一個看似微小,卻能對芯片熱管理造成嚴重影響的關鍵因素——TIM(導熱界面材料)的覆蓋率。
 
近期,有同事反饋其負責的新款芯片在測試過程中出現(xiàn)超溫現(xiàn)象,并伴隨可靠性問題。經(jīng)拆解分析,發(fā)現(xiàn)TIM膠存在異常。為直觀展示,我們特意準備了兩張聲掃圖(CSAM),分別代表不良(NG)和良好(OK)樣品。
 
一、聲掃圖“讀心術”:看TIM膠是“抱緊”還是“撒手”
 
首先,我們來看這張不良(NG)樣品的聲掃圖:請注意觀察,圖中中間區(qū)域那些顏色較淺的部分,這表明TIM膠已發(fā)生大面積分層(Delamination)。這意味著TIM膠與芯片(或散熱器)界面之間存在間隙,并被空氣填充。由于空氣的導熱系數(shù)極低,這些分層區(qū)域將嚴重阻礙熱量傳導。
 
TIM膠結合不良對芯片性能的影響與行業(yè)相關評估標準
 
接下來,我們對比一張良好(OK)樣品的聲掃圖,這代表了理想的TIM膠結合狀態(tài):在這張圖中,中間區(qū)域的顏色顯著更深且分布均勻。這正是我們所期望的:深色區(qū)域表明TIM膠與界面緊密結合,未發(fā)生分層,熱量能夠高效傳導。
 
TIM膠結合不良對芯片性能的影響與行業(yè)相關評估標準
 
二、TIM膠結合不良對芯片性能的影響
 
芯片和散熱器之間,微觀層面存在不平整。TIM膠的作用在于填充這些微小空隙,排除空氣,從而建立一個高效的熱傳導通道。一旦TIM膠未能緊密結合,出現(xiàn)分層或空洞,其后果將是嚴重的:
 
熱阻飆升,局部“發(fā)燒”:空氣的導熱系數(shù)只有約0.026W/m·K,而TIM膠通常能達到1-10W/m·K甚至更高。一旦出現(xiàn)空洞,局部熱阻會瞬間暴增,局部溫度遠超設計值。
 
分層加劇,惡性循環(huán):在芯片工作過程中,會經(jīng)歷冷熱循環(huán)。由于芯片、TIM膠和散熱器三者熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配,原本的小空洞在熱應力作用下會逐漸擴大,最終形成大面積分層。這如同連鎖反應,一旦啟動,便難以遏制。
 
可靠性崩塌,壽命驟減:分層意味著散熱路徑徹底“斷路”,芯片結溫(Tj)會急劇升高,輕則觸發(fā)過溫保護,導致降頻甚至系統(tǒng)停機;重則直接燒毀芯片,嚴重影響產(chǎn)品可靠性和使用壽命。
 
三、TIM膠覆蓋率的行業(yè)評估標準
 
目前行業(yè)內(nèi)最主流的檢測手段就是CSAM(超聲波掃描顯微鏡)。它能穿透封裝,看到里面的空洞情況。對于管控標準,雖然各家公司(如Intel, AMD, TI等)都有自己的私房標準,但大體上遵循以下幾個“金標準”:
 
TIM膠結合不良對芯片性能的影響與行業(yè)相關評估標準
 
注:在實際生產(chǎn)中,并不會對芯片100%進行聲掃檢測TIM膠覆蓋率,而是通過工藝方案確定及抽檢來僅TIM膠覆蓋率保證。
 
TIM膠結合不良對芯片性能的影響與行業(yè)相關評估標準
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來源:Top Gun實驗室

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